N-channel power MOSFET / 100V / 10A The IRLR120N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 5.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Fully Characterized for 175°C Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **Switching Power Supplies**  
- **Motor Control**  
- **DC-DC Converters**  
- **Synchronous Rectification**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.