100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR120TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRLR120TR  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRLR120TR is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speeds** for high-frequency operation  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Rating**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.