Power MOSFET The IRLR130A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLR130A is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive power requirements and high-efficiency performance in power management circuits.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications.  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet.