30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR2703TRPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRLR2703TRPBF  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 46A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 180A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8.0 mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 110W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IRLR2703TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-efficiency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly component.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-saving PCB layouts.  

This information is strictly based on manufacturer-provided data.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR2703TRPBF is a power MOSFET manufactured by IRF (International Rectifier). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IRF (International Rectifier)  
- **Part Number:** IRLR2703TRPBF  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 46A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 180A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 8.0mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 23A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-current switching applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details.)