55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR2905 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRLR2905  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.027Ω (at V_GS = 10V, I_D = 15A)  
  - 0.035Ω (at V_GS = 4.5V, I_D = 15A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides low on-resistance and high switching efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 4.5V gate-source voltage, making it suitable for low-voltage control circuits.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **Low Thermal Resistance:** Enhances power dissipation capability.  
- **Applications:**  
  - DC-DC Converters  
  - Motor Control  
  - Power Management  
  - Switching Power Supplies  

This information is based on the manufacturer's official datasheet for the IRLR2905.