55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR2905Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.022Ω (max) at V_GS = 20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 44nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRLR2905Z is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor drives, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching performance.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** Enhanced ruggedness for reliable operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet.