80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR2908TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRLR2908TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 44A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 176A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 14mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 22A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRLR2908TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic dv/dt Rating:** Ensures reliable performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.