30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3103TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 256A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 79W  
- **RDS(ON) (Max):** 4.5mΩ @ VGS = 10V  
- **RDS(ON) (Max):** 6.0mΩ @ VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (Min) – 2.0V (Max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLR3103TR is a N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance (RDS(ON)), fast switching speeds, and robust thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON) for reduced conduction losses**  
- **High current handling capability**  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Lead-free, RoHS compliant**  
- **TO-252 (DPAK) package**  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRLR3103TR.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3103TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRLR3103TR**  

### **Description:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  
- **Logic Level Gate Drive**  
- **Designed for high-efficiency switching applications**  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.5 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 8.5 mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min) – 2.0V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50nC (Typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 250mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management in Portable Devices**  
- **Synchronous Rectification**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.