55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3105 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLR3105 is a **N-channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Suitable for applications requiring controlled current handling.  
- **TO-220AB Package:** Provides good thermal performance and mechanical durability.  

For detailed application-specific considerations, refer to the official IR datasheet.