100V HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3110Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRLR3110Z  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 47nC (typical at V_DS = 80V, I_D = 43A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 480pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF (typical)  

### **Thermal Characteristics:**  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stable performance in linear applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRLR3110Z MOSFET.