**Part Number:** IRLR3110ZTRPBF  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 38ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable performance in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This MOSFET is designed for high-performance power management with low on-resistance and fast switching characteristics.