AUTOMOTIVE MOSFET The IRLR3114ZPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 100A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 180nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRLR3114ZPBF is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by minimizing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (as low as 4.5V).  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.