30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3303 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 6.5 mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 14A)  
  - 8.0 mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 11A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 22nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRLR3303 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current switching applications.  
- It is part of IR's HEXFET® family, optimized for efficiency and reliability in power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** (suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching).  
- **TO-252 (DPAK) Package** for efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.