100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3410PBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.044Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLR3410PBF is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching speed.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Provides reliable performance in high-frequency circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

The device is packaged in a TO-252 (DPAK) surface-mount package for easy PCB assembly.  

(Source: International Rectifier (IR) Datasheet for IRLR3410PBF)