100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3410TRLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.044Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.065Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRLR3410TRLPBF is a N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 4.5V or higher gate signals.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.