20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package Part IRLR3714 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V, I_D = 10A)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.036Ω (at V_GS = 4.5V, I_D = 10A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15nC (at V_GS = 10V, V_DS = 20V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 200mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRLR3714 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rated:** Improved ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **TO-252 Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

For detailed application notes and performance curves, refer to the official International Rectifier datasheet.