20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR3714Z is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 136A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 544A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 4.0mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLR3714Z is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Low Gate Charge:** Enables efficient high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.