### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 136A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 544A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Advanced Process Technology  
- Low On-Resistance  
- Fast Switching Speed  
- High Current Handling Capability  
- Improved Thermal Performance  
- Avalanche Energy Specified  
- Lead-Free & RoHS Compliant  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications, including DC-DC converters, motor control, and power management systems.