20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The **IRLR3715ZPBF** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRLR3715ZPBF  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W @ 25°C  
- **R_DS(ON) (Max):** 7.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(ON) (Max):** 9.5mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The **IRLR3715ZPBF** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(ON)) and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion in various applications.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **High Current Handling Capability** (62A continuous)  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for 175°C Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet. For detailed application notes and reliability data, refer to the official IR documentation.