20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package Part **IRLR3717** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 6.5 mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 8.0 mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200 pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The **IRLR3717** is an N-channel **HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance** and **fast switching performance**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** (62A continuous).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and thermal management.  
- **Fully characterized for 4.5V gate drive** (compatible with logic-level signals).  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.