30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR7807Z is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
- The IRLR7807Z is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** (62A continuous).  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion.  
- **Avalanche rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully characterized for 4.5V, 10V gate drive** (compatible with logic-level and standard gate drive).  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRLR7807Z.