30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR7807ZPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 34nC (typical at V_DS = 15V, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The IRLR7807ZPBF is a **N-channel HEXFET® power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  
- It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- The device is **lead-free and RoHS compliant**.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** with a continuous drain current of 62A.  
- **Optimized for low gate charge** to improve switching performance.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-252 (DPAK) package** provides efficient thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR7807ZPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 31A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly component.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and battery management systems.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRLR7807ZPBF.