Leaded 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR7807ZTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **Power Dissipation (PD):** 79W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(on) (Max) at VGS = 10V:** 4.3mΩ  
- **RDS(on) (Max) at VGS = 4.5V:** 6.0mΩ  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (Min), 2.35V (Typ), 3.5V (Max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 38nC (Typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1440pF (Typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 380pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 90pF (Typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns (Typ)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (Typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 42ns (Typ)  
- **Fall Time (tf):** 15ns (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRLR7807ZTR is a **N-channel HEXFET® Power MOSFET** optimized for high-efficiency switching applications.  
- It features **low on-resistance (RDS(on))**, enabling reduced conduction losses.  
- Designed for **high-current, low-voltage applications** such as DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on) for minimal power loss**  
- **Fast switching performance**  
- **High current handling capability**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Lead-free, RoHS-compliant**  
- **TO-252 (DPAK) package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.