30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR7843 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 160A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 640A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 2.4mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (Typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Description:**
The IRLR7843 is a **N-channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-current, low-voltage applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.

### **Key Features:**
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **High Current Handling** (160A continuous, 640A pulsed)  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for efficient switching  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.