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IRLR7843PBF from IOR,International Rectifier

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17.578ms

IRLR7843PBF

Manufacturer: IOR

HEXFET Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLR7843PBF IOR 30 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRLR7843PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 160A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 640A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 1.3mΩ (at VGS = 10V, ID = 80A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for high-efficiency power management  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLR7843PBF IR 37 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRLR7843PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 160A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 640A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.3mΩ (at VGS = 10V, ID = 80A)  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Optimized for low conduction losses.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low on-resistance and high current handling.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

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