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IRLR7843PBF from IOR,International Rectifier

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IRLR7843PBF

Manufacturer: IOR

HEXFET Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLR7843PBF IOR 30 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRLR7843PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 160A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 640A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 1.3mΩ (at VGS = 10V, ID = 80A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for high-efficiency power management  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

HEXFET Power MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLR7843PBF IR 37 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRLR7843PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 160A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 640A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.3mΩ (at VGS = 10V, ID = 80A)  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Optimized for low conduction losses.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low on-resistance and high current handling.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

Application Scenarios & Design Considerations

HEXFET Power MOSFET

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