30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8103VTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 4.5mΩ at V_GS = 10V  
  - 5.5mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Description:**  
The IRLR8103VTR is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced TrenchFET® Technology** for low R_DS(on)  
- **High Power Density** in a compact package  
- **Fast Switching Performance**  
- **100% Avalanche Tested** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Infineon datasheet.