30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8103VTRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRLR8103VTRR  

### **Description:**  
The IRLR8103VTRR is a HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 70A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 280A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 120W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 2.3mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 2.7mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.0V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 170pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in a TO-252 (DPAK) package  

This information is sourced from the official Infineon Technologies datasheet for the IRLR8103VTRR.