30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8113TRPBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 31A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Min) to 2V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2600pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 750pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
- The IRLR8113TRPBF is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  
- The device is optimized for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Provides low R_DS(on) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Guarantees reliable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is packaged in a TO-252 (DPAK) surface-mount package for easy PCB assembly.