30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8113TRRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRLR8113TRRPBF  

### **Description:**  
- N-channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency switching applications  
- Optimized for low gate charge and low on-resistance  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38nC (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D²PAK (TO-263)  
- **Pin Configuration:** 3-pin  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.