25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8259 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 26nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLR8259 is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high load currents.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.