25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8259PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 20A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Technology:** Advanced Process Technology  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRLR8259PBF.