30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8503 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLR8503 is a **N-channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-current, low-voltage applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for high efficiency  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High Current Handling** capability  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is typically available in a **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)