30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package **Part Number:** IRLR8726TRPBF  
**Manufacturer:** Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 160A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 640A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W @ 25°C  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.6mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 210nC @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 9600pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 2200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 180pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions:**  
The IRLR8726TRPBF is a high-current N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRLR8726TRPBF.