30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR8729 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 84A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 140W (at 25°C)  
- **RDS(ON) (Max):** 3.7mΩ (at VGS = 10V)  
- **RDS(ON) (Max):** 4.5mΩ (at VGS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 60nC (at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF  
- **Avalanche Energy (EAS):** 300mJ  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRLR8729 is a N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance (RDS(ON)) and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low RDS(ON) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Low gate charge (Qg) for improved efficiency.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable operation under transient conditions.  
- **Low Threshold Voltage:** Suitable for low-voltage drive circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.