HEXFET Power MOSFET The IRLR8729PBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.35V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for high-efficiency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 130A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliable operation.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRLR8729PBF.