40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package Here is the factual information about the IRLS3034 MOSFET from Ic-phoenix technical data files:
### **IRLS3034 Manufacturer IR (International Rectifier) Specifications, Descriptions, and Features**  
#### **General Description:**  
The **IRLS3034** is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed by **International Rectifier (IR)**. It is optimized for high-efficiency switching applications, particularly in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
#### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 1.6 mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 2.0 mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D2PAK)  
#### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses  
- **Ultra-Low On-Resistance (RDS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
This information is based on the manufacturer's datasheet for the **IRLS3034** MOSFET.