60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The **IRLS3036** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 1.6mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 9000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

### **Description:**  
- The **IRLS3036** is a **N-channel** power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **high current handling capability**, making it suitable for power switching applications.  
- The device is optimized for **efficiency in DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (up to 195A continuous).  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation. No additional recommendations or guidance are provided.