100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The **IRLS4030** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Power Dissipation (P_D):** 375W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 235nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.5J (tested)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The **IRLS4030** is designed for high-current, low-voltage applications, providing efficient power switching.  
- It is optimized for **synchronous buck converters, motor control, and power management** in industrial and automotive systems.  
- The MOSFET features **low on-resistance (R_DS(on))** and **high current handling**, reducing conduction losses.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Ultra-Low R_DS(on)** minimizes power dissipation.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated** for rugged performance in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.