Power MOSFET The **IRLS640A** is a power MOSFET manufactured by **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual data:  

### **Manufacturer:**  
- **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The **IRLS640A** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is housed in a **TO-220** package, providing efficient thermal performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability** (200V) for robust performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability.  
- **Low Gate Charge** for efficient drive requirements.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact performance characteristics, refer to the official SEC datasheet.