30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRLU3303 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max at V_GS = 10V, I_D = 75A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLU3303 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.