### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 63A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 252A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.1mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 31A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low on-resistance for high efficiency.  
- **Ultra-Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Provides reliable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management, and synchronous rectification.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.