30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRLU7843 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRLU7843 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Low gate charge for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves heat dissipation in power applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.