Power MOSFET The IRLW510A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRLW510A is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capabilities, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** for demanding power applications.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance.  
- **TO-247AC package** for enhanced thermal dissipation.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRLW510A MOSFET.