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IRLW510ATM from FSC,Fairchild Semiconductor

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IRLW510ATM

Manufacturer: FSC

100V N-Channel Logic Level A-FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLW510ATM FSC 4000 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel Logic Level A-FET The IRLW510ATM is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **FSC (Federal Supply Code) Specifications:**  
- No specific FSC details are provided in the available knowledge base.  

### **Descriptions and Features:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-262 (D2PAK)  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 42A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 140W  
- **RDS(on):** 0.055Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Applications:** Power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.  

For additional specifications, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLW510ATM FAIRCHILD 790 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel Logic Level A-FET The **IRLW510ATM** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 43A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 170A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 60nC (typical)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** TO-262 (TO-263AB compatible)  

### **Description:**  
The **IRLW510ATM** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling** for robust performance  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion  
- **Avalanche energy rated** for reliability in harsh conditions  
- **TO-262 package** with good thermal dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to FAIRCHILD's official documentation.

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