Power MOSFET The **IRLW610A** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **IRLW610A** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for efficient performance  
- **High current handling** capability  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **TO-262 (D²PAK) package** for improved thermal performance  

This MOSFET is optimized for high-efficiency power management in industrial and automotive applications.