Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A) The IRLZ14L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRLZ14L is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power requirements and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D @ 25°C):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±16V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **On-Resistance (R_DS(on) @ V_GS = 10V):** 0.12Ω  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET MOSFET technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-hole)  

This information is sourced from International Rectifier's official datasheet for the IRLZ14L.

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)