60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRLZ14S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRLZ14S is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 140pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- Fast switching speed  
- Low gate charge for reduced drive requirements  
- High avalanche energy capability  
- 100% tested for R_DS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-hole package)  

This information is sourced from the International Rectifier (IR) datasheet for the IRLZ14S MOSFET.