55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLZ24N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRLZ24N  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at T_C = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLZ24N is a HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and rugged performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLZ24N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 55ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
The IRLZ24N is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Advanced process technology for low R_DS(on)  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

The device is available in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.