55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLZ24NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRLZ24NPBF is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET series, optimized for efficiency and performance in power management circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.1Ω (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 900pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Ensures low on-resistance and high efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Optimized for high-speed switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220 Package:** Suitable for through-hole mounting and heat dissipation.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Switching regulators  
- Automotive systems  

This MOSFET is widely used in power electronics due to its reliability and performance characteristics.