55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRLZ24S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 90pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in power circuits.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Optimized gate drive for ease of use in various power electronics applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.